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本实用新型涉及一种非挥发性记忆体，其包括半导体基板，半导体基板内的上部设有若干用于存储的记忆体细胞，记忆体细胞包括PMOS访问晶体管、控制电容及编程电容；半导体基板内的上部设有若干隔离沟槽，隔离沟槽内设置有隔离介质以形成领域介质区域，记忆体...
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