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本实用新型属于电子封装技术，涉及一种功率器件封装用覆铜硅基板。该基板在硅片上表面设有热压键合而成的芯片焊接区铜层和上电极引线区铜层，在硅片下表面设有热压键合而成的导热和应力补偿铜层，以及下电极引线区铜层，上、下电极引线铜层通过硅片内孔中的铜...
该专利属于武汉利之达科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉利之达科技有限公司授权不得商用。

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