温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供接触孔的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层和第二介质层；在所述第二介质层内形成第一开口；在所述第二介质层上形成第三介质层，所述第三介质层填充所述第一开口；在所述第三介质层上依次形成第一介质抗反射层、第...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。