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本发明提供一种提高MOS器件窄宽度效应的方法，通过在所述浅沟槽隔离结构的绝缘氧化层表层中注入离子，快速退火后在半导体衬底和浅沟槽隔离结构的接触界面形成一层掺杂阻挡层，阻挡了半导体衬底中，特别是窄宽度沟道区域中的离子侵蚀到浅沟槽隔离结构的绝缘...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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