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本发明提供一种外延缺陷分析结构，包括：半导体衬底，半导体衬底的一部分表面形成有外延生长区域，暴露出阻挡层保护区域保护的半导体衬底的另一部分表面；外延层，形成于外延生长区域上。本发明还提供一种外延缺陷分析结构的制造方法。本发明又提供一种外延缺...该专利属于杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司授权不得商用。