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本发明提供一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，先在硅衬底表面形成氧化硅掩膜，然后根据氧化硅掩膜于硅衬底中制作高深宽比硅结构，接着采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法或喷涂法于所述高深宽比硅结构侧壁形成含氟聚合物，最后去除氧化硅掩膜完成制备。...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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