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在半导体装置上的第1以及第2布线的附近配置密度高的第1虚设过孔图案，并且在比第1虚设过孔图案远离第1以及第2布线的地方配置密度低的第2虚设过孔图案。据此，能够与有无连接第1布线和第2布线的过孔无关地，在达成按每种半导体工艺制定的设计标准的同...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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