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本发明公开了一种双应变CMOS集成器件及制备方法，在衬底上连续生长P型Si外延层、P型渐变SiGe层等作为NMOS结构材料层，刻蚀出PMOS有源区深槽，在槽中选择性外延生长N型Si层等作为PMOS有源区，在NMOS和PMOS之间制备深槽隔离...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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