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一种降低化学机械抛光后微粒缺陷的方法技术
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文档序号:8301426
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本发明公开了一种降低化学机械抛光后微粒缺陷的方法,属于化学机械抛光技术领域,其中,在化学机械抛光设备的超纯水供应管路中增加离子风枪,所述离子风枪用于向硅片添加正负离子;所述正负离子用于中和释放与所述正负离子接触的所述硅片的表面积累的静电电荷...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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