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本发明涉及一种培养基体的使用方法,该培养基体用于培养神经细胞的神经突起,该使用方法包括:提供一培养基体,该培养基体包括一载体及一形成在该载体表面的碳纳米管结构,该碳纳米管结构包括多个间隔设置的碳纳米管线,且相邻的碳纳米管线之间的间距大于等于...该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种培养基体的使用方法,该培养基体用于培养神经细胞的神经突起,该使用方法包括:提供一培养基体,该培养基体包括一载体及一形成在该载体表面的碳纳米管结构,该碳纳米管结构包括多个间隔设置的碳纳米管线,且相邻的碳纳米管线之间的间距大于等于...