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本发明涉及一种片式氧化锆传感器的低温共烧方法，所述方法包括：在氧化钇稳定氧化锆中加入低熔点、具有离子导电性的玻璃粉，配制浆料；将浆料流延成型，切割，冲过孔、参比气体通道、气体室等；印刷Pt等贵金属电极，叠层热压，并在1000℃～1200℃下...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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