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本发明涉及一种SnO2纳米管阵列的低温化学气相沉积制备方法，是以易挥发的SnCl2·2H2O作锡源，在560～610℃的马弗炉内反应，生成大面积的SnO2纳米管阵列，所制备的SnO2纳米管阵列可直接生长在FTO导电玻璃上，其工艺简单、反应条...
该专利属于陕西师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过陕西师范大学授权不得商用。

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