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一种纳米SiO2均匀包覆的Zn4Sb3粉体的制备方法技术
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下载一种纳米SiO2均匀包覆的Zn4Sb3粉体的制备方法的技术资料
文档序号:829335
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本发明涉及一种纳米SiO↓[2]均匀包覆的Zn↓[4]Sb↓[3]粉体及制备方法。该方法是先在真空下熔融高纯金属Zn粉和Sb粉的混合物,冷凝结晶得到单相β-Zn↓[4]Sb↓[3]化合物的铸体,研磨、过筛得到β-Zn↓[4]Sb↓[3]粉体...
该专利属于武汉理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过武汉理工大学授权不得商用。
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