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本发明涉及一种具有优良检测能力的底部填充用围堰。本发明提供一种在晶片元件周围以围墙的形状形成，并且用于防止填充在基板和晶片元件之间的底部填充材料流出的围堰，其特征在于围堰由干膜型阻焊剂形成。...
该专利属于株式会社LG化学所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社LG化学授权不得商用。

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