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本发明的低介电常数层间绝缘膜，通过等离子体CVD法形成，至少含有碳和硅，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。此外，本发明的低介电常数层间绝缘膜的成膜方法，具有通过等离子体CVD法使至少含有碳和硅的绝缘膜材料成膜的工序，...
该专利属于大阳日酸株式会社;三化研究所股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大阳日酸株式会社;三化研究所股份有限公司授权不得商用。

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