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本发明提供一种半导体存储装置。在具有分层位线结构的SRAM(静态随机存取存储器)中，利用对与存储器单元相连的局部位线(LBL/NLBL)进行预充电的P沟道晶体管(10a、10b)、栅极与局部位线相连且漏极与全局位线(GBL/NGBL)相连的...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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