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本发明提供了一种太赫兹肖特基二极管，包括砷化镓半导体衬底、在砷化镓半导体衬底上依次形成的高浓度掺杂砷化镓层和低浓度掺杂砷化镓层、形成在高浓度掺杂砷化镓层上的欧姆接触阴极和欧姆接触金属、形成在低浓度掺杂砷化镓层上的肖特基接触阳极、形成在欧姆接...
该专利属于王昊所有，仅供学习研究参考，未经过王昊授权不得商用。

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