温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底、一金氧半导体晶体管设于该基底中以及一浅沟隔离设于基底中并设于金氧半导体晶体管周围。其中该浅沟隔离是由一应力材料所构成。...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。