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本申请公开了一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法，该方法包括：形成具有体接触孔的绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底上形成鳍片；在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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