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本公开提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：沟道层，由化合物半导体制成；势垒层，设置在沟道层上方且由这样的化合物半导体制成，在与沟道层的结中该化合物半导体在载流子行进侧的能带比沟道层中在载流子行进侧的能带远离沟道层中的本征费米能...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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