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示范性实施例涉及组合的输出缓冲器和静电放电二极管器件。一种集成电路ESD保护电路（270）形成有包括栅控二极管（271）和输出缓冲器MOSFET（272）的组合器件，其中第一导电类型的体连结指（307）形成在衬底中且利用多个二极管多晶硅指（...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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