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本发明属于微电子工艺技术领域，具体是一种以Ru-Al-O作为扩散、粘附阻挡层的铜互连结构以及制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用Ru-Al-O代替传统的TaN/Ta双层结构，作为铜互连结构的新的铜扩散阻挡层。利用原子层淀积（ALD）...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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