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本发明涉及一种倒装芯片的功率半导体器件及方法，更确切的说，本发明涉及一种利用倒装芯片的封装方式并应用双层引线框架的所制备的包含金属氧化物半导体场效应晶体管的堆叠式功率半导体器件及其制造方法。主要是将多个第一芯片与第一引线框架连接，同时将多个...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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