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本发明涉及一种用于平坦化硅穿孔的体系，揭示内容大体有关于一种导电通孔组件，例如硅穿孔(TSV’s)，以及用于形成该导电通孔组件的方法。揭示于本文的示范方法包括下列步骤：在形成于半导体装置内的通孔开口上方形成一层隔离材料，该通孔开口延伸进入该...
该专利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡商格罗方德半导体私人有限公司授权不得商用。

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