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本发明揭露一种具有封装隔离区域的半导体装置及其制造方法，其中，该装置及其制造方法作为具有封装隔离区域的半导体装置结构。制造半导体装置结构的示范方法涉及下列步骤：在相邻于半导体材料的第一区域的半导体衬底中形成第一介质材料的隔离区域，形成覆盖于...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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