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一种MOS晶体管、具有应力层的衬底及其形成方法,具有应力层的衬底的形成方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成掩膜层,所述掩膜层具有凹槽和开口,所述凹槽对应第一类型的MOS晶体管源区区域和漏区区域,所述开口对应第二类型的MOS晶体管沟道区域;以...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种MOS晶体管、具有应力层的衬底及其形成方法,具有应力层的衬底的形成方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成掩膜层,所述掩膜层具有凹槽和开口,所述凹槽对应第一类型的MOS晶体管源区区域和漏区区域,所述开口对应第二类型的MOS晶体管沟道区域;以...