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本发明提供一种MOS晶体管的制造方法，通过顶部低于所述栅氧化层底部的侧墙来抑制后续轻掺杂源/漏区(LDD)离子注入后的径向扩散，控制形成的轻掺杂源/漏(LDD)延伸区的深度，以使获得的超浅结更浅，减小短沟道效应，降低结电容；进一步的，通过应...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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