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本发明涉及一种半导体器件的制作方法，包括:提供衬底，且衬底上形成待刻蚀层；在待刻蚀层上形成硬掩膜层；硬掩膜层包括氮化钛层和形成在氮化钛层上的氮化硼层。硬掩膜层的厚度为200埃~500埃。氮化硼层的厚度大于氮化钛层的厚度。本发明的利用改进的硬...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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