温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种制作栅结构的方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底之上形成栅电介质层；在所述栅电介质层之上沉积一层牺牲层；刻蚀所述牺牲层形成暴露出所述栅电介质层的沟槽，再在所形成的结构表面沉积栅导电层；通过各向异性刻蚀工艺从上往下对所述栅导电...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。