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一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅导体层和位于栅导体层两侧的源极区和漏极区。在半导体衬底上形成蚀刻停止层。在蚀刻停止层上形成LTO层。化学机械平坦化所述LTO层。在平坦化的LTO层上形成SOG层，所述蚀刻停...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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