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本发明涉及一种金属-介质-金属电容及其制造方法。通过本发明的电容及其制造方法，可以将具有较高介电常数的介质层的电容集成到采用常规或者较低介电常数介质的后道互连工艺中，从而可以实现在大容量集成电容的时候，提高电容的面积利用率和电容量的同时，不...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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