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制造包括位于支撑衬底上的功能化层的半导体结构的工艺。本发明涉及一种制造包括位于支撑衬底（3）上的第一功能化层（4）的半导体结构（1）的工艺，所述工艺包括以下步骤：（a）在源衬底（2）中注入离子物质，所述源衬底（2）包括：所述功能化层（4）和...
该专利属于索泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过索泰克公司授权不得商用。

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