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本发明公开了一种基于CMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括CMOS三极管，采用相同或不同的电压值（VG）加载到CMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值（...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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