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作为本发明的一形态的三维集成电路（1）将第一半导体芯片与第二半导体芯片层叠而成；上述第一半导体芯片的全部布线层中的最接近于与其他芯片的接合面的布线层中的电源用导电体区域及接地用导电体区域的配置、与上述第二半导体芯片的全部布线层中的最接近于与...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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