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本发明提供了一种氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法。该氮化物半导体材料发光二极管包括：衬底；n型接触层，其材料为n型的氮化物半导体材料，形成于衬底上；活性发光层，其材料为氮化物半导体材料，形成于n型接触层上；以及p型接触层，其材料为p型...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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