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一种半导体集成器件及其制造方法，其中半导体集成器件包括：衬底；覆盖所述衬底的介质层；位于所述介质层内的第一开口和第二开口；位于第一区域内有源区表面的金属栅极结构，所述金属栅极结构包括：位于第一开口底部和侧壁的高k栅介质层，位于高k栅介质层表...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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