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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法。本发明提出一种制备顶层金属互联工艺刻蚀中间停止层的方法，通过在原有的顶层金属双大马士革工艺基础上去掉了氮化硅薄膜层的淀积工艺，而引入了离子注入氮（N）或者其他元...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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