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一种介质层的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层至少分两次沉积形成，每次沉积预定厚度；在每次沉积后均进行碳处理。本发明有效防止了超低k介质层的k值漂移及电容的大幅变化，保证半导体器件的稳定性和可靠性。...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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