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本发明公开一种低温等离子体辅助铝诱导多晶碳化硅薄膜的制备方法。其方法步骤如下：(1)采用热丝CVD方法在衬底上沉积纳米晶碳化硅或非晶碳化硅薄膜；(2)采用干氧氧化的方法形成一层二氧化硅薄层；(3)采用磁控溅射或真空热蒸发方法继续沉积铝薄膜；...
该专利属于南京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京航空航天大学授权不得商用。

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