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本发明涉及存储技术领域，公开了一种阵列基板，包括薄膜晶体管，还包括闪存结构，所述闪存结构包括栅极、栅绝缘层、浮栅、浮栅绝缘层、有源层以及源漏极。上述阵列基板中的栅极、栅绝缘层、浮栅、浮栅绝缘层、有源层以及源漏极，形成了一种基于浮栅结构的非易...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司授权不得商用。