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本发明披露的实施例包括半导体结构。半导体结构包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且成分与第一III-V化合物层不同。一界面被限定在第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。栅极设置在第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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