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本发明提供了一种氮化物基半导体器件。该氮化物基半导体器件包括：基底；AlSixC1-x预处理层，形成在基底上；掺杂铝的GaN层，形成在AlSixC1-x预处理层上；AlGaN层，形成在掺杂铝的GaN层上。该氮化物基半导体器件可包括AlSix...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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