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一种铜金属覆盖层的制备方法，包括：步骤S1：提供具有冗余铜金属填充的半导体器件；步骤S2：化学机械研磨冗余金属铜填充所在的表面，并停止在所述防金属扩散层；步骤S3：化学湿法刻蚀去除所述铜金属填充，并使得铜金属填充的第二上表面较所述沟槽结构之...
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