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本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种使p型硅微通道与衬底分离的光电化学方法，其步骤包括：通过预处理定义刻蚀点的位置与图形，直至刻蚀点呈倒金字塔结构；纵向深刻蚀得到微通道；调节蚀刻电压或蚀刻电流的大小形成横向刻蚀，实现微通道与衬底的分离。...
该专利属于华东师范大学;上海欧普泰科技创业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学;上海欧普泰科技创业有限公司授权不得商用。

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