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本发明提出了一种X射线探测器(1),包括诸如CMOS光探测器的光探测装置(3)、诸如CsI:Tl层的闪烁体层(5)、反射体层(9)和介于闪烁体层(5)和反射体层(9)之间的发光层(7)。发光层(7)可以包括OLED,并且可以制成小于50μm...该专利属于皇家飞利浦电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过皇家飞利浦电子股份有限公司授权不得商用。
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本发明提出了一种X射线探测器(1),包括诸如CMOS光探测器的光探测装置(3)、诸如CsI:Tl层的闪烁体层(5)、反射体层(9)和介于闪烁体层(5)和反射体层(9)之间的发光层(7)。发光层(7)可以包括OLED,并且可以制成小于50μm...