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本发明实施例公开了具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：有源本体，所述有源本体具有在横向上彼此面对的两个侧壁；结，所述结形成在所述两个侧壁中的一个侧壁中；电介质层，所述电介质层具有暴露出所述结的开放部分并且覆盖所述有源本...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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