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本发明涉及ZnS纳米晶半导体前驱体薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法，电解液含有摩尔比为（15-20）:（15-25）:（0.2-0.8）:（0.3+0.1）的Zn2+，S2O32-，表面活性剂、SO32-，并含有氯化锂，电解液的pH值介于2...
该专利属于北京化工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京化工大学授权不得商用。

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