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三维有序大孔硅或锗薄膜的制备方法，涉及一种大孔薄膜的制备方法。是要解决现有的制备三维有序大孔硅或者锗薄膜的方法所用设备复杂，成本高，所用原料有毒的问题。方法：一、将铜箔用盐酸浸泡，无水乙醇擦拭，将铜箔固定在玻璃基片上，处理；二、使用三电极的...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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