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本发明公开了一种制备具有金字塔结构的Fe薄膜的方法。该方法包括：步骤（1）：选择高纯金属铁靶（纯度99.99%）作为溅射靶材，将靶材放入磁控溅射室；步骤（2）：对该单晶硅衬底依次用丙酮、酒精和去离子水超声清洗，将处理后的单晶硅衬底放入磁控溅...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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