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本发明公开了一种非晶氧化镧薄膜的制备方法，用于解决现有方法制备非晶氧化镧薄膜的漏电流密度大、击穿电压低的技术问题。技术方案是将La2O3作为蒸发的膜料，p型Si(100)作为衬底；衬底清洗后，于真空室中用加热系统对衬底进行加热蒸发，使其温度...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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